Zpět
Reactive magnetron sputtering of hard Si-B-C-N films with a high-temperature oxidation resistance
Citace: |
VLČEK, J., POTOCKÝ, Š., ČÍŽEK, J., HOUŠKA, J., KORMUNDA, M., ZEMAN, P. Reactive magnetron sputtering of hard Si-B-C-N films with a high-temperature oxidation resistance. Journal of Vacuum Science and Technology A, 2005, roč. 23, č. 6, s. 1513-1522. ISSN: 0734-2101
|
---|---|
Druh: | ČLÁNEK |
Jazyk publikace: | eng |
Anglický název: | Reactive magnetron sputtering of hard Si-B-C-N films with a high-temperature oxidation resistance |
Rok vydání: | 2005 |
Autoři: | Jaroslav Vlček , Štěpán Potocký , Jiří Čížek , Jiří Houška , Martin Kormunda , Petr Zeman |
Abstrakt CZ: | Článek se zabývá systematickým výzkumem reaktivního magnetronového naprašování tvrdých kvaternárních materiálů Si-B-C-N. Prvkové složení vytvořených materiálů, jejich vazebná struktura, mechanické vlastnosti a oxidační odolnost ve vzduchu byly primárně řízeny podílem Si v erozní zóně rozprašovaného terče, podílem Ar v plynné směsi Ar-N2, negativním rf předpětím na substrátech a teplotou substrátů. Vytvořené vrstvy byly amorfní v nanostruktuře s velmi hladkým povrchem, dobrou adhezí a nízkým kompresním pnutím. |
Abstrakt EN: | Based on the results obtained for C-N and Si-C-N films, a systematic invetsigation of reactive magnetron sputtering of hard quaternary Si-B-C-N materials has been carried out. The Si-B-C-N films were deposited on p-type Si substrates by dc magnetron co-sputtering using a single C-Si-B target in nitrogen-argon gas mixtures. |
Klíčová slova |
Zpět