Zpět
Ab initio simulations of nitrogen evolution in quenched CNx and SiBCN amorphous materials
| Citace: |
HOUŠKA, J., BILEK, M., WARSCHKOV, O., MCKENZIE, D., VLČEK, J. Ab initio simulations of nitrogen evolution in quenched CNx and SiBCN amorphous materials. Physical Review B, 2005, roč. 72, č. 5, s. 1-6. ISSN: 1098-0121
|
|---|---|
| Druh: | ČLÁNEK |
| Jazyk publikace: | eng |
| Anglický název: | Ab initio simulations of nitrogen evolution in quenched CNx and SiBCN amorphous materials |
| Rok vydání: | 2005 |
| Autoři: | Jiří Houška , Marcela Bilek , Oliver Warschkov , David McKenzie , Jaroslav Vlček |
| Abstrakt CZ: | Článek popisuje simulace vzniku molekul N2 během naprašování materiálů CNx, BCN a SiBCN za současného iontového bombardování rostoucích vrstev. Je popsán vliv hustoty, teploty a rychlosti chladnutí na počet vytvořených molekul N2. Výsledky vedou k návrhu modifikace běžných depozičních technik za účelem zvýšení obsahu dusíku ve vytvořených materiálech. |
| Abstrakt EN: | We report ab-initio molecular dynamics simulations of the preparation of CNx, BCN and SiBCN materials formed by energetic ion assisted deposition techniques. We focus on the formation of N2 molecules during liquid quench simulations and investigate how density, temperature and quench rate affect the number of N2 molecules formed in the network. We find that higher material density and shorter cooling times lead to reduced N2 formation and thus higher nitrogen incorporation into the structure. These results suggest a modification of common physical vapour deposition techniques to enhance N content in materials such as CNx. |
| Klíčová slova |
Zpět