Přejít k obsahu


Laser CVD of nanodisperse Ge-Sn alloys via Dielectric Breakdown in SnH4/GeH4 mixture

Citace:
KŘENEK, T., POLA, P. .. J. .., MURAFA, M. .. N. .., BEZDIČKA, B. .. Z. .., ŠUBRT, Š. .. J. .. Laser CVD of nanodisperse Ge-Sn alloys via Dielectric Breakdown in SnH4/GeH4 mixture. European Journal of Inorganic Chemistry, 2009, roč. 2009, č. 11, s. 1464-1467. ISSN: 1434-1948
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Laser CVD of nanodisperse Ge-Sn alloys via Dielectric Breakdown in SnH4/GeH4 mixture
Rok vydání: 2009
Název zdroje: European Journal of Inorganic Chemistry
Autoři: Ing. Tomáš Křenek , Rn.Dr. Josef Pola Ph.D. , Ing. Nataliya Murafa , RNDr. Petr Bezdička Dr. , Ing. Jan Šubrt CSc.
Abstrakt CZ: TEA CO2 laserem indukovaný dielektrický průraz v plynné molární směsi stananu a germanu v Ar umožňuje rozklad obou kovových hydridů a chemickou depozici nanostrukturovaných Ge/Sn filmů, které byly analyzovány pomocí FTIR a Ramanovy spektroskopie, rentgenové difrakce a elektronové mikroskopie. Byly odhaleny nanooblasti krystalického cínu a krystalické Ge/Sn slitiny obklopené amorfní Ge/Sn fází. Krystalické Ge/Sn nanoslitiny obsahují různá množství Sn začleněného do mřížky Ge. Zahřátím na 200 o C vzorek prodělává fázové změny.
Abstrakt EN: TEA CO2 laser-induced dielectric breakdown in equimolar mixture of gaseous stannane and germane in Ar allows decomposition of both metal hydrides and chemical vapor deposition of nanostructured Ge/Sn films that were analyzed by FTIR, Raman spectroscopy, X-ray diffraction analysis and electron microscopy and revealed as nanoregions of crystalline Sn and Sn-rich Ge/Sn alloys surrounded by amorphous Ge/Sn phase. The crystalline Ge/Sn nanoalloys contain different amounts of Sn incorporated in Ge lattice and undergo changes in composition at temperature as low as 200 o C.
Klíčová slova

Zpět

Patička