Přejít k obsahu


Laser-induced Dielectric Breakdown in Tetramethylgermane/tetramethyltin Mixtures: Deposition of Nanostructured Sn/Ge/C and Ge-Sn/C Films

Citace:
KŘENEK, T., MURAFA, N., BEZDIČKA, P., ŠUBRT, J., POLA, J. Laser-induced Dielectric Breakdown in Tetramethylgermane/tetramethyltin Mixtures: Deposition of Nanostructured Sn/Ge/C and Ge-Sn/C Films. Applied Organometallic Chemistry, 2010, roč. 24, č. 6, s. 458-463. ISSN: 0268-2605
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Laser-induced Dielectric Breakdown in Tetramethylgermane/tetramethyltin Mixtures: Deposition of Nanostructured Sn/Ge/C and Ge-Sn/C Films
Rok vydání: 2010
Autoři: Ing. Tomáš Křenek Ph.D. , Ing. Nataliya Murafa Ph.D. , RNDr. Petr Bezdička Dr. , Ing. Jan Šubrt CSc. , Dr.Sc. Josef Pola Ph.D.
Abstrakt CZ: (TEA)CO2 laserové ozáření plynné směsy tetrametylcínu (TMT),tetrametylgermánia (TMG) a Ar ústí v rozklad organometalických sloučenin a v CVD nanostrukturovaných filmů analyzovaných FTIR a Ramanovou spektroskopií, rentgenovou difrakcí a elektronovou mikroskopií. Byla prokázána podobná morfologie depositů. Chemické složení závisí na poměru TMT:TMG ve směsi. Analýzy prokázaly přítomnost nanorozměrných grafitických struktur, které obsahují C?M a M?M (M Ge, Sn) vazby. Deposity sestávají z amorfní fáze a krystalického β-Sn a metastabilní Ge-Sn slitiny. Pro vytvoření unikátního mřížkového uspořádání je příznivá vysoká koncentrace TMG prekurzoru.
Abstrakt EN: Transversely Excited Atmospheric (TEA) CO2 laser-irradiation of gaseous tetramethylgermane (TMG)?tetramethyltin (TMT) mixtures in Ar results in decomposition of both organometallic compounds and in chemical vapour deposition of nanostructured films analyzed by FTIR and Raman spectroscopy, X-ray diffraction and electron microscopy. They were shown to have similar morphology and elemental composition and constituents dependent on theTMG?TMTratio. The analyses confirm the presence of nanosized carbon-rich (graphitic) structures that incorporate C?M and M?M (M Ge, Sn) bonds containing an amorphous phase together with crystalline, either β-Sn or metastable Sn-rich Ge?Sn alloy. The unique latter constituent is favored at high concentrations of TMG precursor.
Klíčová slova

Zpět

Patička