Přejít k obsahu


IGZO thin films prepared by single and dual magnetron sputtering

Citace:
BAROCH, P., REZEK, J., HOUŠKA, J. IGZO thin films prepared by single and dual magnetron sputtering. Montreal, Kanada, 2014.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: IGZO thin films prepared by single and dual magnetron sputtering
Rok vydání: 2014
Autoři: Doc. Ing. Pavel Baroch Ph.D. , Ing. Jiří Rezek Ph.D. , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D.
Abstrakt CZ: Práce popisuje vlastnosti polovodivých tenkých vrstev IGZO připravených pomocí jednoho a duálního magnetronu při využití různých typů napájecích zdrojů a zároveň s využitím systému pro přesné řízení depozičních parametrů. Hlavním cílem bylo dosažení optimalizace elektrických a optických vlastností vrstev IGZO a diskutovat vliv různé konfigurace magnetronů a napájecích zdrojů. Byl pozorován velice rychlý přechod mezi nízkou a vysokou rezistivitou vrstev připravených při vzrůstajícím parciálním tlaku kyslíku. Elektrická rezistivita vrstev se pohybovala v rozsahu 13-ti řádů. Nejvyšší pohyblivost nosičů náboje byla dosažena u vrstev připravených při velmi nízkém parciálním tlaku kyslíku pro obě konfigurace magnetronů.
Abstrakt EN: We reported on the preparation of transparent semiconducting amorphous indium gallium zinc oxide (IGZO) films by single and dual magnetron systems using various types of power supplies with the precise control of process parameters. Main aim was to optimize electrical and optical properties of the IGZO thin films and to discuss effects of various magnetrons and power supplies configurations. We have observed a very fast transition between low- and high- resistivity films depending on oxygen partial pressure. The electrical resistivity varied over 13 orders of magnitude. The highest mobility of charge carriers was obtained at very low oxygen partial pressures for both the single and the dual magnetron sputtering.
Klíčová slova

Zpět

Patička