Přejít k obsahu


IR LASER CVD OF NANODISPERSE Ge-Si-Sn ALLOYS OBTAINED BY DIELECTRIC BREAKDOWN OF GeH4/SiH4/SnH4 MIXTURES

Citace:
KŘENEK, T., BEZDIČKA, P., MURAFA, N., ŠUBRT, J., POLA, J. IR LASER CVD OF NANODISPERSE Ge-Si-Sn ALLOYS OBTAINED BY DIELECTRIC BREAKDOWN OF GeH4/SiH4/SnH4 MIXTURES. In NANOCON 2014, 6th International Conference. Ostrava: Tanger Ltd., 2015. s. 268-273. ISBN: 978-80-87294-53-6
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: IR LASER CVD OF NANODISPERSE Ge-Si-Sn ALLOYS OBTAINED BY DIELECTRIC BREAKDOWN OF GeH4/SiH4/SnH4 MIXTURES
Rok vydání: 2015
Místo konání: Ostrava
Název zdroje: Tanger Ltd.
Autoři: Ing. Tomáš Křenek Ph.D. , Petr Bezdička , Nataliya Murafa , Jan Šubrt , Josef Pola
Abstrakt CZ: V dnešní době je ternárnímu systému Ge-Si-Sn věnována velká pozornost díky možnosti regulace zakázaného pásu a optickým vlastnostem. IČ laserové ozařování ekvimolární plynné směsi GeH4 + SiH4 + SnH4 + Ar vede k současnému rozkladu všech tří sloučenin a umožňuje depozici nanostrukturovaného tuhého filmu. FTIR, Ramanova spektroskopie, XRD, a elektronová mikroskopie depozitu odhalily krystalické nanočástice čistého β-Sn a krystalické nanoobjekty Ge1−x−ySixSny obklopené amorfní metastabilní Ge-Si-Sn slitinou. Tento proces dovoluje ko-dekompozici hydridů křemíku, germania a cínu, způsobenou kombinací infračervené multifotonové disociace absorbujícího silanu a současně probíhajícího LIDB. Tyto děje jsou následovány mísením/shlukováním vyjmutých kovových atomů v plynné fázi.
Abstrakt EN: Nowadays, great attention is devoted to Ge-Si-Sn ternary system, because Si1-x-yGexSny provides the potential of band gap engineering and tuning of the optical properties. IR laser irradiation of equimolar gaseous GeH4 + SiH4 + SnH4 + Ar mixture results in simultaneous decomposition of all three compounds and it allows deposition of nanostructured solid film. Analysis of the films by FTIR and Raman spectroscopy, X-ray diffraction analysis and electron microscopy revealed crystalline nanobodies of pure beta-Sn and crystalline nanoobjects of Ge1-x-ySixSny embedded in an amorphous metastable Ge-Si-Sn alloy. This process allows co-decomposition of all silicon, germanium and tin hydrides which is caused by combination of infrared multiple photon dissociation of absorbing silane and currently proceeding LIDB. This is followed by intermixing/clustering of extruded metal atoms in the gas phase.
Klíčová slova

Zpět

Patička