Přejít k obsahu


Comparison of HiPIMS and conventional sputtering methods used for preparation of transparent IGZO thin films

Citace:
BAROCH, P., REZEK, J., KOZÁK, T., HOUŠKA, J. Comparison of HiPIMS and conventional sputtering methods used for preparation of transparent IGZO thin films. Platanias, Řecko, 2016.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Comparison of HiPIMS and conventional sputtering methods used for preparation of transparent IGZO thin films
Rok vydání: 2016
Autoři: Doc. Ing. Pavel Baroch Ph.D. , Ing. Jiří Rezek Ph.D. , Ing. Tomáš Kozák Ph.D. , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D.
Abstrakt CZ: Práce se zabývá srovnáním použití vysokovýkonového pulzního magnetronového naprašování (HiPIMS) a konvenčních naprašovacích metod pro přípravu transparentních polovodivých In-Ga-Zn-O (IGZO) tenkých vrstev. Hlavním výsledkem této práce je výrazné zlepšení v oblasti řízení charakteristik IGZO vrstev (rezistivity a pohyblivosti nosičů náboje) v závislosti na parciálním tlaku kyslíku v případě využití HiPIMS zdroje.
Abstrakt EN: We have reported on comparison of high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) and conventional sputtering methods used for preparation of transparent semiconducting IGZO thin films. As a main finding of the study we reported on the improvement in control characteristics of IGZO resistivity and mobility as a function of oxygen partial pressure when HiPIMS power supply was utilized.
Klíčová slova

Zpět

Patička