Přejít k obsahu


Properties of transparent IGZO thin films prepared using conventional sputtering methods and HiPIMS

Citace:
BAROCH, P., REZEK, J., HOUŠKA, J. Properties of transparent IGZO thin films prepared using conventional sputtering methods and HiPIMS. Garmisch-Partenkirchen, Německo, 2016.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Properties of transparent IGZO thin films prepared using conventional sputtering methods and HiPIMS
Rok vydání: 2016
Autoři: Doc. Ing. Pavel Baroch Ph.D. , Ing. Jiří Rezek Ph.D. , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D.
Abstrakt CZ: Práce se zabývá vlastnostmi transparentních IGZO tenkých vrstev připravených konvenčními naprašovacími metodami a zároveň pomocí vysokovýkonového pulzního magnetronového naprašování (HiPIMS). V práci je detailně studována závislost depoziční rychlosti na výkonu dodaného do magnetronu a parciálním tlaku kyslíku. Zároveň byly vyšetřovány optické, elektrické a strukturní vlastnosti připravených vrstev.
Abstrakt EN: We report on the properties of transparent semiconducting amorphous indium gallium zinc oxide (IGZO) thin films prepared by conventional sputtering methods and those prepared by high power impulse magnetron sputtering (HiPIMS). Deposition rate as a function of discharge power and oxygen partial pressure was systematically investigated and the results from optical, electrical and surface structure analysis were also reported.
Klíčová slova

Zpět

Patička