Přejít k obsahu


High-rate reactive HiPIMS deposition of Hf–O–N films with smoothly controlled composition

Citace:
VLČEK, J., BELOSLUDTSEV, A., HOUŠKA, J., REZEK, J. High-rate reactive HiPIMS deposition of Hf–O–N films with smoothly controlled composition. Braunschweig, Německo, 2017.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: High-rate reactive HiPIMS deposition of Hf–O–N films with smoothly controlled composition
Rok vydání: 2017
Autoři: Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Alexandr Belosludtsev , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D. , Ing. Jiří Rezek Ph.D.
Abstrakt CZ: V této práci bylo použito reaktivní HiPIMS se zpětnovazebním pulzním řízením reaktivních plynů (kyslík a dusík) a optimalizovaná geometrie napouštění reaktivního plynu (do hustého plazmatu, směrem k substrátu). Toto řešení umožňovalo produkovat kvalitní Hf–O–N tenké vrstvy s laditelným prvkovým složením, strukturou a vlastnostmi za vysokých depozičních rychlostí v rozsahu 240 nm/min pro HfO2 vrstvy a 175 nm/min pro HfN vrstvy. Základní princip této metody je maximalizace stupně disociace kyslíkových i dusíkových molekul ve výbojovém plazmatu.
Abstrakt EN: In this work, reactive HiPIMS with a feedback pulsed reactive gas (oxygen and nitrogen) flow control and an optimized location (high-density plasma) of the reactive gas inlets in front of the target and their orientation toward the substrate made it possible to produce high-quality Hf–O–N films with a tunable elemental composition, structure and properties at very high deposition rates ranging from 240 nm/min for HfO2 films to 175 nm/min for HfN films. Basic principles of this method, maximizing the degree of dissociation of both O2 and N2 molecules in a discharge plasma, is given.
Klíčová slova

Zpět

Patička