Přejít k obsahu


CONTROLLED REACTIVE HiPIMS – EFFECTIVE TECHNIQUE FOR LOW-TEMPERATURE DEPOSITION OF FUNCTIONAL OXIDE FILMS

Citace:
VLČEK, J., KOLENATÝ, D., HOUŠKA, J. CONTROLLED REACTIVE HiPIMS – EFFECTIVE TECHNIQUE FOR LOW-TEMPERATURE DEPOSITION OF FUNCTIONAL OXIDE FILMS. In 9th International Conference on Power Electronics for Plasma Engineering Conference Proceedings. Zielonka: TRUMPF Huettinger Sp. z o.o., 2018. s. "28.1" - "28.7". ISBN: 978-83-930983-8-5
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: eng
Anglický název: CONTROLLED REACTIVE HiPIMS – EFFECTIVE TECHNIQUE FOR LOW-TEMPERATURE DEPOSITION OF FUNCTIONAL OXIDE FILMS
Rok vydání: 2018
Místo konání: Zielonka
Název zdroje: TRUMPF Huettinger Sp. z o.o.
Autoři: Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Ing. David Kolenatý , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D.
Abstrakt CZ: Reaktivní vysokovýkonové pulzní magnetronové naprašování se zpětnovazebním pulzním řízením průtoku reaktivního plynu a optimalizovaným umístěním přívodu reaktivního plynu do oblasti vysoké hustoty plazmatu před rozprašovaný kovový terč (V nebo Hf) umožnilo připravit termochromické vrstvy VO2 za nízké teploty (300 °C) na konvenční sodnovápenaté sklo bez jakéhokoliv předpětí na substrát a mezivrstvy, a densifikované (n550 = 2,12, H = 18 GPa) opticky transparentní (k550 = 0,0005) stechiometrické vrstvy HfO2 za vysoké depoziční rychlosti (až 200 nm/min) bez přidaného předpětí na substrát při teplotě substrátu menší než 140 °C. Uvádíme zde základní principy této efektivní depoziční techniky s vysokým aplikačním potenciálem.
Abstrakt EN: Reactive high-power impulse magnetron sputtering with a feedback pulsed O2 flow control and to-substrate O2 injection into a high-density plasma in front of the sputtered metal (V or Hf) target was used for low-temperature (300 °C) deposition of thermochromic VO2 films onto conventional soda-lime glass substrates without any substrate bias voltage and without any interlayer, and for high-rate deposition (up to 200 nm/min) of densified (n550 = 2.12, H = 18 GPa), optically transparent (k550 = 0.0005), stoichiometric HfO2 films onto floating substrates at the substrate temperatures less than 140 °C. We give the basic principles of this effective deposition technique with a high application potential.
Klíčová slova

Zpět

Patička