Přejít k obsahu


Hard TiN2 dinitride films prepared by magnetron sputtering

Citace:
MUSIL, J., JAROŠ, M., KOS, Š., ČERSTVÝ, R., HAVIAR, S. Hard TiN2 dinitride films prepared by magnetron sputtering. Journal of Vacuum Science and Technology A, 2018, roč. 36, č. 4, s. „040602-1“-„040602-3“. ISSN: 0734-2101
Druh: ČLÁNEK
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Hard TiN2 dinitride films prepared by magnetron sputtering
Rok vydání: 2018
Autoři: Prof. Ing. Jindřich Musil DrSc. , Ing. Martin Jaroš , Doc. Mgr. Šimon Kos Ph.D. , Ing. Radomír Čerstvý , RNDr. Stanislav Haviar Ph.D.
Abstrakt CZ: Tento článek pojednává o vytváření tvrdých TiN2 nitridových vrstev připravených pomocí magnetronového naprašování. TiN2 vrstvy byly připraveny v reaktivní směsi plynů Ar + N2 duálním magnetronovým systémem s uzavřeným magnetickým polem. Jsou popsány podmínky, za kterých dochází k formování vrstev TiN2. Stechiometrie x = N/Ti vrstev TiNx byla kontrolována pomocí depozičních parametrů a x = 2,3 je maximální hodnota, které bylo dosaženo. Poprvé byla demonstrována možnost vytvoření TiN2 vrstev pomocí magnetronové depozice. Mechanické vlastnosti deponovaných vrstev jsou detailně diskutovány.
Abstrakt EN: This letter reports on the formation of hard TiN2 dinitride films prepared by magnetron sputtering. TiN2 films were reactively sputtered in an Ar + N2 gas mixture using a pulsed dual magnetron with a closed magnetic field B. The principle of the formation of TiN2 films by magnetron sputtering is briefly described. The stoichiometry x = N/Ti of the TiNx films was controlled by deposition parameters, and its maximum value of x = 2.3 was achieved. For the first time, a possibility to form the TiN2 dinitride films by magnetron sputtering has been demonstrated. The mechanical properties of sputtered films were investigated in detail.
Klíčová slova

Zpět

Patička