Přejít k obsahu


Low-temperature (300°C) HiPIMS deposition of thermochromic VO2 films with antireflection SiO2 overlayers

Citace:
KOLENATÝ, D., VLČEK, J., HOUŠKA, J., KOZÁK, T. Low-temperature (300°C) HiPIMS deposition of thermochromic VO2 films with antireflection SiO2 overlayers. Sheffield, Velká Británie, 2018.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Low-temperature (300°C) HiPIMS deposition of thermochromic VO2 films with antireflection SiO2 overlayers
Rok vydání: 2018
Autoři: Ing. David Kolenatý , Prof. RNDr. Jaroslav Vlček CSc. , Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D. , Ing. Tomáš Kozák Ph.D.
Abstrakt CZ: V této práci bylo použito vysokovýkonové pulzní magnetronové naprašování se zpětnovazebním pulzním řízením průtoku reaktivního plynu (kyslíku) a s optimalizovaným umístěním (do plazmatu o vysoké hustotě) přívodu reaktivního plynu před terč a orientací směrem k substrátu k přípravě VO2 vrstev s výrazným fázovým přechodem polovodič – kov. Antireflexní SiO2 vrstvy byly připraveny pomocí bipolárních duálních magnetronů na povrch VO2 vrstev při teplotě nižší než 35 °C za účelem zlepšení optických a mechanických vlastností. Zaměřujeme se na závislost transmitance ve viditelné oblasti, Tlum, a modulace solární transmitance, ΔTsol, na tloušťce SiO2 vrstev. Ukazujeme zlepšení díky SiO2 vrstvě až o 16 % (ze 40,3 % na 56,3 %) pro Tlum a až o 2,6 % (ze 7,7 % na 10,3 %) pro ΔTsol.
Abstrakt EN: In this work, reactive HiPIMS with a pulsed O2 flow control and to-substrate O2 injection into a high-density plasma in front of the sputtered vanadium target was used for low-temperature (300 °C) deposition of VO2 films with a pronounced semiconductor-to-metal transition onto conventional soda-lime glass substrates without any substrate bias voltage and without any interlayer. Antireflection SiO2 layers were deposited using mid-frequency bipolar dual magnetron sputtering onto the top of VO2 layers at a surface temperature below 35 °C in order to improve the optical and mechanical performance. We focus on the dependence of the luminous transmittance, Tlum, and the modulation of the solar transmittance, ΔTsol, on the SiO2 layer thickness. We show an improvement due to the SiO2 overlayer of up to 16% (from 40.3% to 56.3%) for Tlum and up to 2.6% (from 7.7% to 10.3%) for ΔTsol.
Klíčová slova

Zpět

Patička