Přejít k obsahu


Pathways for the preparation of technologically important metal oxides

Citace:
HOUŠKA, J. Pathways for the preparation of technologically important metal oxides. Nice, Francie, 2019.
Druh: PŘEDNÁŠKA, POSTER
Jazyk publikace: eng
Anglický název: Pathways for the preparation of technologically important metal oxides
Rok vydání: 2019
Autoři: Doc. Ing. Jiří Houška Ph.D.
Abstrakt CZ: Růst tenkých vrstev oxidů kovů je studován pomocí molekulární dynamiky. První část příspěvku obsahuje algoritmus vývoje interakčních potenciálů optimalizovaných pro simulace růstu vrstev. Především, a na rozdíl od většiny literatury, nově vyvinuté potenciály správně reprodukují preferovaná koordinační čísla jednotlivých prvků. V druhé části příspěvku jsou pomocí těchto interakčních potenciálů studovány vztahy mezi (i) procesními parametry jako je energie dodaná do vrstev (E), rozdělení energií v toku částic (EDF), teplota (T) a struktura substrátu, a (ii) charakteristikami vrstev jako je densifikace, nukleace krystalů, růst krystalů a jeho závislost na krystalové orientaci. Optimální rozdělovací funkce (EDF) umožňující růst densifikovaných krystalických fází, které je obtížné připravit při minimální T a/nebo E, jsou charakterizovány (i) úzkou EDF kolem optimální hodnoty závisející na studovaném materiálu a (ii) vysokou hybností dodanou do vrstev.
Abstrakt EN: The growth of metal oxide thin films is studied by molecular dynamics (MD) simulations. The first part of the contribution presents an algorithm for the development of interaction potentials optimized for the growth simulations. Most importantly, and contrary to most of the literature, the newly developed potentials correctly reproduce the preferred coordination number of individual elements. The second part of the contribution uses the reliable interaction potentials in order to investigate the relationships between the (i) process parameters such as energy delivered into the growing films (E), energy distribution function of the particle flux (EDF), temperature (T) and growth template and (ii) film characteristics such as densification, crystal nucleation, uninterrupted crystal growth and its dependence on the crystal orientation. Optimum EDFs which allow uninterrupted growth of densified difficult-to-prepare phases at as low T and/or E as possible are characterized by (i) narrow EDF around a material-dependent optimum value and (ii) high momentum delivered into the growing films.
Klíčová slova

Zpět

Patička