Přejít k obsahu


Naprašované vrstvy SiNx:H s leptáním mono-Si povrchu v plazmatickém H2

Citace:
HÉGR, O., BOUŠEK, J., FOŘT, T., SOBOTA, J., VAVRUŇKOVÁ, V., BAŘINKA, R., PORUBA, A. Naprašované vrstvy SiNx:H s leptáním mono-Si povrchu v plazmatickém H2. In Sborník příspěvků ze 3. České fotovoltaické konference. Rožnov pod Radhoštěm: Czech RE Agency, 2008. s. 172-177. ISBN: 978-80-254-3528-1
Druh: STAŤ VE SBORNÍKU
Jazyk publikace: cze
Anglický název: Sputtered films of SiNx: H with etching mono-Si surface in the plasma H2
Rok vydání: 2008
Místo konání: Rožnov pod Radhoštěm
Název zdroje: Czech RE Agency
Autoři: Ondřej Hégr , Jaroslav Boušek , Tomáš Fořt , J. Sobota , Veronika Vavruňková , Radim Bařinka , Aleš Poruba
Abstrakt CZ: Příspěvek se zabývá čištěním, aktivací a schopností hydrogenace povrchu monokrystalického křemíku za pomoci plazmatického leptání v H2. Za použití vstupních plynů Ar/H2 je možné na křemíkovém povrchu iniciovat chemické reakce působící podobně jako je tomu při použití standardního chemického leptacího roztoku (HF). Proces je kombinován s depozicí vrstev SiNx:H naprášených na leptaný povrch technikou reaktivního magnetronového naprašování. Oba kroky jsou prováděny v jednom vakuovém cyklu ve směsi plynů Ar/H2 a Ar/N2/H2. Vzniklé struktury jsou zkoumány z hlediska vazebních poměrů za pomoci infračervené spektrometrie (FTIR). Schopnost vrstev pasivovat p a n-typový křemíkový povrch v závislosti na změně procesních parametrů je ověřována měřením doby života nosičů náboje (MW-PCD).
Abstrakt EN: The paper deals with cleaning, activation and capabilities of hydrogenation monocrystalline silicon surface by using of plasma etching in H2. Using the input gas Ar/H2 it is possible to initiate in silicon surface chemical reactions acting similar to using a standard chemical etching solution (HF). The process is combined with deposition films SiNx:H which are deposited on the etched surface by using technology of magnetron reactive sputtering. Both steps are carried out in one vacuum cycle of a mixture of gases Ar/H2 and Ar/N2/H2. The resulting structures are investigated by using infrared spectroscopy (FTIR). Ability layers passivate p and n-type silicon surfaces in depending on the change process parameters is checked by measuring life charge carriers (MW-PCD).
Klíčová slova

Zpět

Patička